Диоды Д142

Цена: по запросу

Диоды:

Д142-80, Д142-80Х, ДЛ142-80
Д142-100, Д142-100X, ДЛ142-100

Конструкция диодов – Вариант I (Д142-80, Д142-80Х, ДЛ142-80)

Конструкция диодов – Вариант II ( Д142-100, Д142-100Х, ДЛ142-100)

ml, m2 – контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения;
ml – в одной из двух точек;
L mm = 5,6 мм – расстояние по воздуху между анода и катодом диода; длина пути для тока утечки между этими электродами . Масса диода не более 48 г.

Рисунок 1 – Предельная прямая вольтамперная характеристика при температуре перехода 25 ^oC (1) и максимальной температуре перехода T_jm (2) I_F= 3,14I_F₍_AV)

Рисунок 2 – Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV) от температуры корпуса T_c для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 3 – Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV) от температуры корпуса T_c для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 4 – Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV) от температуры окружающей среды T_апри естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 5 – Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV) от температуры окружающей среды T_апри естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 6 – Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности P_F₍_AV) от среднего прямого тока I_F₍_AV)синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 7 – Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности P_F₍_AV) от среднего прямого тока I_F₍_AV)прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 8 – Зависимость допустимой амплитуды ударного прямого тока I_FSM от длительности импульса тока t_i при исходной температуре структуры T_j = 25 ^оС (1) и максимальной температуре T_jm (2)

Рисунок 9 – Зависимость защитного показателя I²t от длительности импульса тока t_i при исходной температуре структуры T_j = 25 ^оС (1) и максимальной температуре T_jm (2)

Рисунок 10 – Зависимость допустимой амплитуды прямого тока перегрузки I_T(ОV) синусоидальной формы частотой f = 50 Гц от длительности перегрузки t при температуре окружающей среды T_a = 40 ^oC и при отношении тока, предшествующего перегрузке, I_F к допустимому среднему прямому току с охладителем I_F₍_AV) равному k = I_F / I_F₍_AV); k = 0 (1); 0,5 (2); 0,75 (3); 1,0 (4).

Рисунок 11 – Зависимость теплового сопротивления переход – корпус Z_thjc (1) и переход- среда Z_thjа (2) от времени t при естественном охлаждении T_a = 40 ^oC на типовом охладителе .

Рисунок 12- Зависимость допустимой ударной обратной рассеиваемой мощности P_RSM от длительности одиночного импульса t_i обратного тока синусоидальной формы в состоянии лавинного пробоя при максимальной температуре структуры T_jm_.

Рисунок 13 – Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F₍_AV) от частоты f при естественном охлаждении на типовом охладителе при токе синусоидальной формы с углом проводимости θ = 180^о эл; τ_p = 50 мкс (1) при T_j = 150 °C , τ_p = 60 мкс (2) при T_j = 150 °C.

В наличии