Диоды Д132 и ДЛ132

Цена: по запросу

Диоды Д132 и ДЛ132 предназначены для применения в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц различных электротехнических устройств.

В наличии

Внимание!

Оплата - безналичный расчет. Доставка – самовывоз или транспортной компанией.

Для оформления счета необходимо указать количество товара и нажать на кнопку "Оформить заказ". Счета выставляются круглосуточно.

Категория:

Описание

Конструкция диодов Д132 и ДЛ132

  • m1, m2 – контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения ;
  • m1 – в одной из двух точек;
  • Lmin = 4,3мм – расстояние по воздуху между анода и катодом диода; длина пути для тока утечки между этими электродами.

Масса диода не более 27 г.

Тепловые параметры диодов Д132 и ДЛ132

Обозначение параметраНаименование, единица измеренияД132-50,
Д132-50Х,
ДЛ132-50
Д132-63,
Д132-63Х,
ДЛ132-63
Д132-80,
Д132-80Х,
ДЛ132-80
Условия установления норм на параметры
TjmМаксимально допустимая температура перехода, °C150
T jminМинимально допустимая температура перехода, °Cминус 50 минус 60 для УХЛ2.1
TstgmМаксимально допустимая температура хранения, °C50 (60 для Т3 )
TstgminМинимально допустимая температура хранения, °Cминус 50 (минус 60 для УХЛ2.1; минус 10 для Т3)
RthjcТепловое сопротивление переход- корпус, °C/Вт, не более0,600,500,38Постоянный ток
RthchТепловое сопротивление корпус-охладитель, °C/Вт, не более0,4Естественное охлаждение. Охладитель ОP331. Постоянный ток
RthjaТепловое сопротивление переход-среда (с охладителем),°C/Вт, не более3,123,022,90

Обратные параметры Д132

Обозначение параметраНаименование, единица измеренияТип диодаУсловия установления норм на параметры
Д132-50 Д132-50ХД132-63 Д132-63ХД132-80 Д132-80Х
URRMПовторяющееся импульсное oбрaтнoe напряжение, В, для класса:T. = 150 °C , t= 10 мс, f= 50 Гц
1100
2200
4400
5500
6600
8800
9900
101000
111100
121200
141400
161600
181800
URSMHeповторяющееся импульсное oбрaтнoe напряжение, В, для класса:T. = 150 °C , t= 10 мс,
.m ‘ l ‘
импульс одиночный
1110
2225
4450
5560
6670
8900
91000
101100
111200
121300
141500
161700
181900
URПостоянное обратное напряжение, В0,6URRMT = 110 °C
С
URWMРабочее импульсное обратное напряжение, В0,8URRMT. = 150 °C , t= 10 мс,
.m ‘ l ‘
f= 50 Гц
^RRMПовторяющийся импульсный oбрaтный ток, мА6,0T. = 150 °C,UR= URRM
.m 5 R RRM
IrrmИмпульсный oбрaтный ток вoccтaнoвлeния, А42T. = 150 °C, IFM= IF(AV),
.m 5 FM F(AV) 5
(dlF/dt)f= 5 А/мкс, U = 100 В, t = 50 мке
R ‘ l max
QrrЗаряд обратного восстановления, мкКн242
trrВремя обратного восстановления, мке Hе более11

Обратные параметры ДЛ132

Обозначение параметраНаименование, единица измеренияТип диодаУсловия установления норм на параметры
ДЛ132-50ДЛ132-63ДЛ132-80
URRMПовторяющееся импульсное oбрaтнoe напряжение, В, для класса:Tjm= 150 °C , tj = 10 мс, f = 50 Гц
101000
111100
121200
141400
151500
161600
181800
URПостоянное обратное напряжение, В0,6 URRMTc = 110 °C
URWMРабочее импульсное oбрaтнoe напряжение, В0,8urrmTjm = 150 °C , tj = 10 мс,
f= 50 Гц
UBRОбратное напряжение пробоя, В1,2URRMTj= 25°C, tu= 10 мс,
irrm= 20 мА
PRSMУдарная обратная рассеиваемая мощность, кВт5,0Tjm= 150 °C, ti=100 мке,
импульс одиночный
IRRMПoвтoряющийcя импульсный обратный ток, мА5,0Tjm = 150 °C,UR = URRM
IrrmИмпульсный обратный ток восстановления, А42Tjm = 150 °C, IFM= IF(AV),
(dlF/dt)f= 5 А/мкс,
UR = 100 В, timax = 50 мкс
QrrЗаряд обратного восстановления, мкKЛ242
trrВрeмя обратного восстановления, мкс, нe бoлee11

Прямые параметры диодов Д132 и ДЛ132

Обозначение параметраНаименование, единица измеренияТип диодаУсловия установления норм на параметры
Д132-50 Д132-50Х ДЛ132-50 Д132-63 Д132-63Х ДЛ132-63Д132-80 Д132-80Х ДЛ132-80
IF(AV)Максимально допустимый сред­ний прямой ток, A506380T = 110 °C, ti= 10 мс,
f= 50 Гц
IFRMSДействующий прямой ток, А7899127Tc = 110 °C
IFSMУдарный прямой ток, кА1,201,401,50Tjm =150 °C, UR=0,
ti = 10 мс, импульс одиночный
1,321,541,65Tj = 25 °C, UR = 0,
tj = 10 мс, импульс одиночный
UFMИмпульсное прямое напряжение, В, не более1,35T. = 25 °C, IFM= 3,14 IF(AV)
UTOПороговое напряжение , В, не более0,850,80Tjm =150 °C
rTДинамическое сопротивление, Ом0,00320,00250,0022Tjm =150 °C
IF(AV)Средний прямой ток, A (с типовым охладителем)303235Ta = 40 °C, естественное охлаждение, охладитель OP331

Рисунок 1 – Предельная прямая вольтамперная характеристика при температуре перехода 25 oC (1) и максимальной температуре перехода Tjm (2) IF= 3,141F(AV)

Рисунок 2 – Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры корпуса Tc для токов синусои­дальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 3 – Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры корпуса Tc для токов прямо­угольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 4 – Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры окружающей среды Та при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 5 – Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от температуры окружающей среды Та при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 6 – Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности PF(AV) от среднего прямого тока IF(AV) синусои­дальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 7 – Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности PF(AV) от среднего прямого тока I F(AV)прямо­угольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 8 – Зависимость допустимой амплитуды ударного прямого тока IFSM от длительности импульса тока ti при исходной температуре структуры Tj = 25 оС (1) и максимальной температуре Tjm (2)

Рисунок 9 – Зависимость защитного показателя I2t от длительности импульса тока t при исходной температуре структуры Tj = 25 оС (1) и максимальной температуре Tjm (2)

Рисунок 10 – Зависимость допустимой амплитуды прямого тока перегрузки IT(0V) синусоидальной формы часто­той f = 50 Гц от длительности перегрузки t при температуре окружающей среды Ta = 40 oC и при отношении тока, предшествующего перегрузке, IF к допустимому среднему прямому току с охладителем IF(AV) равному: k = IF / IF(AV); k = 0 (1); 0,5 (2); 0,75 (3); 1,0 (4).

Рисунок 11 – Зависимость теплового сопротивления переход – корпус Zthjc (1) и переход- среда Zthja. (2) от времени t при естественном охлаждении Ta = 40 oC на типовом охладителе .

Рисунок 12- Зависимость допустимой ударной обратной рассеиваемой мощности PRSM от дли­тельности одиночного импульса ti обратного тока синусоидальной формы в состоянии лавинного пробоя при максимальной температуре структу­ры Tjm

Рисунок 13 – Зависимость допустимого среднего прямого тока IF(AV) от частоты f при естественном охлаждении на типовом охладителе при токе сину­соидальной формы с углом проводимости 8 = 180о эл; Т = 50 мкс (1) при T. = 150 оС , Т = 60 мкс (2) при T = 150 оС.

Рисунок 14 – Зависимость заряда восстановления Qrr от скорости спада прямого тока (di/dt)f при температуре перехода T. = 150 °С , UR = 100 В и при отношении амплитуды прямого тока IF к допустимому среднему прямому току IF(AV) равному : k = 0,5 (1); 1,0 (2); 1,5 (3); где k = IF / I.

Рисунок 15 – Зависимость времени обратного восстановления t от скорости спада прямого тока (di/dt)при температуре перехода T.m= 150 оС, UR = 100 В и при отношении амплитуды прямого тока IF к допустимому среднему прямому току IF(AV) равному : k = 0,5 (1); 1,0 (2); 1,5 (3); где k = IF/ IF(AV).

Рисунок 16 – Зависимость обратного тока восстановления Irrm от скорости спада прямого тока (di/dt)f при температуре перехода T.m= 150 оС , UR = 100 В и при отношении амплитуды прямого тока IF к допустимому сред­нему прямому току I равному : k = 0,5 (1); 1,0 (2); 1,5 (3); где k = IF / IF(AV).

Обзоры

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Диоды Д132 и ДЛ132”

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *



Оборудование и материалы для радиофикации

X